LOW VF溝槽式肖特基芯片：


溝槽工藝與平面工藝的區(qū)別


平面肖特基二極管具有優(yōu)異的高頻特性和較低的正向開啟電壓,這些獨(dú)特的性質(zhì)使得其在太陽(yáng)能電池,開關(guān)電源、汽車以及手機(jī)等多個(gè)領(lǐng)域都有著巨大的應(yīng)用潛力。但是,在反向偏壓下,鏡像力導(dǎo)致的勢(shì)壘降低效應(yīng),導(dǎo)致了平面肖特基二極管阻斷能力差的缺點(diǎn)。TMBS結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)很好地解決這個(gè)問題,其主要有兩個(gè)肖特基結(jié)相結(jié)合的雙勢(shì)壘金屬肖特基結(jié)二極管器件、利用PN結(jié)與肖特基結(jié)結(jié)合的含PN結(jié)構(gòu)的肖特基二極管,以及利用金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和肖特基結(jié)結(jié)合的溝槽式勢(shì)壘肖特基二極管(TMBS),并且TMBS由于優(yōu)異的高頻特性及結(jié)構(gòu)參數(shù)的易調(diào)性,受到了更為廣泛的關(guān)注。


溝槽芯片


優(yōu)勢(shì) 具有較低的動(dòng)態(tài)內(nèi)阻、VF與IR的易調(diào)性可以滿足各種不同方案的使用需求。